「次世代パワー半導体SiCの未来とその革新的加工技術」
平成24年度第5回AMICセミナー開催報告

内容

(1)開会挨拶 (13:00〜13:05)

    ・(公財)三重県産業支援センター 副理事長 高橋 陽一

(2)講演:次世代パワー半導体SiCの未来とその革新的加工技術 (13:05〜14:15)

    ・大阪大学 大学院工学研究科 教授 山内 和人 氏

【概要】次世代パワーデバイスに使用される半導体基板SiC(炭化ケイ素)が国際的に大変注目されています。このSiCに関して、最新の技術動向、国内外の動向、SiC基板加工技術とその装置など、幅広い情報についてご講演いただきました。

(3)技術紹介:CARE法による次世代大口径SiC基板用研磨パッド (14:15〜14:30)

    ・東邦エンジニアリング株式会社 代表取締役社長 鈴木 辰俊 氏

【概要】経済産業省の支援を得て、大阪大学・山内教授らと開発している6インチ(150mm)のSiC基板の研磨装置に関する技術を紹介していただきました。